智能算力新标杆：得一微以AI存力芯片重塑产业未来

在2026年的半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上，得一微电子凭借其突破性的AI-MemoryX显存扩展技术，荣获“年度AI优秀创新奖”。这一荣誉不仅彰显了公司在人工智能领域的技术实力，也标志着其在推动产业智能化进程中的关键作用。此次获奖，是对得一微持续深耕技术创新、引领行业发展的高度肯定。

AI-MemoryX技术的核心价值在于它解决了大模型训练与优化过程中普遍存在的显存瓶颈问题。传统显卡的显存容量通常在几十GB级别，而该技术通过系统级创新，将单机可用显存提升至10TB以上。这种飞跃式的进步，不仅大幅减少了对昂贵高速显存（如HBM）的依赖，还显著降低了企业、科研机构及独立开发者的成本压力，使更多人能够高效进行大模型的训练和调优。

这一技术的落地，正在加速AI在多个关键领域的应用普及。无论是政务、医疗还是教育、办公场景，AI-MemoryX都为行业提供了更经济、更高效的解决方案。通过打破显存资源的限制，这项技术正逐步实现AI智能的普惠化，让更多用户享受到智能化带来的便利。

得一微电子的AI存力芯片设计，是其在智能算力领域的重要布局。公司以“重构计算范式”为目标，围绕存储控制、存算互联与存算一体三大核心技术，致力于让每一比特数据都能发挥更大的智能价值。目前，得一微已构建覆盖AI手机、AI PC、AIoT、AI汽车以及AI Infra基础设施五大终端的完整产品体系，为智慧终端、智能汽车和智算中心提供全方位的AI存力支持。

通过系统级的存力提升，得一微电子助力各行业构建更加稳定、高效且自主的存力基础，从而从容应对智能化转型中不断增长的数据挑战。在这一过程中，公司不仅提升了自身的竞争力，也为整个产业链带来了新的发展机遇。

展望未来，随着人工智能与实体经济的深度融合，得一微电子将持续加大在AI存力芯片领域的研发投入，并积极与产业链上下游企业合作，共同推动存算架构的演进与融合。通过技术创新与生态共建，得一微正朝着更高效、更普惠、更可持续的智能未来迈进。