三星电子加速研发下一代高带宽内存，消息称首批HBM4E将于5月生产

来源：环球网

【环球网科技综合报道】4月16日消息，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据ChosunBiz报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。

业内人士透露，三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。这些核心逻辑芯片将与专为HBM4E设计的DRAM芯片进行封装，从而制成首批工程样品。在完成内部严格的性能评估，且各项指标达到预期水平后，这些样品将被送往英伟达进行进一步验证。

在技术规格方面，三星电子的HBM4E与前代HBM4一样，将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die。不过，三星在工艺细节上进行了精心改进和优化，旨在提升产品的整体性能和竞争力。

三星晶圆代工部门承担着关键的生产任务。按照计划，该部门需在5月中旬之前完成HBM4E性能样品Base Die的生产工作，随后交付给存储器业务部门，以开展后续的3D封装工序。（青山）